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CD0603/1005 Schottky Barrier Chip Diode Series
Absolute Ratings (@ TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
Parameter
Repetitive Peak
Reverse Voltage
Reverse Voltage
Average Forward Current
Forward Current,
Surge Peak
Symbol
VRRM
VR
Io
Isurge
CD0603-
B00340
45
40
30
500*
CD0603-
B0130L
35
30
100
1000*
CD0603-
B0140L
45
40
100
1000*
CD0603-
B0140R
45
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CD0603-
B0230
35
30
200
2000*
CD0603-
B0240
45
40
200
2000*
Unit
V
V
mA
mA
Power Dissipation
Storage Temperature
Junction Temperature
PD
TSTG
TJ
150
-40 to +125
-40 to +125
mW
°C
°C
Parameter
Repetitive Peak
Reverse Voltage
Reverse Voltage
Average Forward Current
Forward Current,
Surge Peak
Power Dissipation
Symbol
VRRM
VR
Io
Isurge
PD
CD1005-
B00340
45
40
30
500*
200
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35
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B0230
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B0240
45
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Unit
V
V
mA
mA
mW
Storage Temperature
Junction Temperature
TSTG
TJ
-40 to +125
-40 to +125
°C
°C
* Condition: 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rate load
(JEDEC method).
Specifications are subject to change without notice.
Customers should verify actual device performance in their specific applications.
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